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  • 长江存储:计划今年扩产一倍 并率先生产192层3D NAND闪存
  • 来源:微电子制造

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据外媒报道,长江存储计划今年将产量提高一倍,并准备试产192层NAND快闪记忆体晶片。

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消息指出,长江存储计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到10万片晶圆,约占全球总产量的7%,这将有助于该公司缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉,三星电子目前每月约生产48万片晶圆,而美光的月产能约为18万片。


此外,长江存储还准备试产192层NAND快闪记忆体晶片,最快将于2021年中试产,这将是中国半导体业者首次试产这类晶片。不过因先进工艺的复杂性,需要时间确保量产芯片质量,这一计划有可能会被推迟到今年下半年。据了解,如三星、美光等市场一流供应商目前仍在开发176层3D NAND晶片,而当前可量产的最先进版本为128层NAND晶片。


2020年4月,长江存储宣布其128层QLC 3D NAND闪存研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这标志着国内3D NAND领域正式进入国际先进水平。


据消息人士透露,2020年三季度以来,长江存储一直忙于引进与安装必要的生产设备与扩大生产线。目前长江存储同时生产64层与128层3D快闪记忆体晶片,但将逐步将更多产能转向后者。


一名消息人士还指出,长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右,仍有提高的空间。不过,半导体行业的另一位高管则表示,“这已经是一个重大突破,但长江存储仍需要大量的企业合作,同时等待全球顶级客户接受并采用其NAND闪存产品。”


据悉,长江存储一期项目于2019年产能达到2万片/月,2020年扩产至5万片/月以上水平,预计一期项目未来将达到10万片/月产能,另外二期土建已于2020年6月开工,两期产能规划共30万片/月。




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